| 电力系统中的电气自动化技术 |
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通态电压降随着额定电压的增加而成倍增大，这就给制造高压P—MOSFET造成了很大困难。本文由论文联盟http://www.LWlM.cOM收集整理
IGBT是P—MOSFET工艺技术基础上的产物， 它兼有MOSFET高输入阻抗、高速特性和GTR大电流密度特性的混合器件。其开关速度比P—MOSFET低，但比GTR快 其通态电压降与GTR相拟约为1.5～3.5V，比P—MOSFET小得多，其关断存储时间和电流I、降时间为别为O.2～O.4 u s和O.2～1.5 s，因而有较高的工作频率，它具有宽而稳定的安个工作区，较高的效率，驱动电路简单等优点。
M0S控制晶闸管（MCT）是一种在它的单胞内集成了MOSFET的品闸管，利用M0S门来控制品闸管的开通和关断，具有晶闸管的低通态电压降，但其工作电流密度远高IGBT和GTR，在理论上可制成几千伏的阻断电压和几十千赫的开关频率，且其关断增益极高。
lGBT和MGT这一类复合型电力电子器件可以称为第三代器件。在器件的复合化的同时，模块即把变换器的双臂、半桥乃至全桥组合在一起大规模生产的器件也已进入实用。在模块化和复合化思路的基础上，其发展便是功率集成电路PIC（Power， Integrated Circute），在PIC中，不仅主回路的器件，而月驱动电路、过压过流保护、电流检测甚至温度自动控制等作用都集成到一起，形成一个整体，这可以算作第四代电力电子器件。
2、变换器电路从低频向高频方向发展
随着电力电子器件的更新，由它组成的变换器电路也必然要换代。应用普通晶闸管时，直流传功的变换器主要是相控整流，而交流变频动则是交一直一交变频器。当电力电子器件人第二代后，更多早采用PW M 变换器了、采用PW M 方式后，提高了功率因数，减少了高次谐波对电网的影响，解决了电动机在低频区的转矩脉动问题。
但是PW M 逆变器中的电压、电流的谐波分量产生的转矩脉动作用在定转子上，使电机绕组产生振动而发出噪声。为了解决这个问题，一种方法是提高开关频率，使之超过人耳能感受的范围，但是电力电子器件在高电压大电流的情况下导通或关断，开关损耗很大。开关损耗的存在限制了逆变器工作频率的提高。
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